课程代码：02234

    一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）

    在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

    1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（　　　）

    A.本征半导体 B.温度

    C.杂质浓度 D.掺杂工艺

    2.理想二极管构成的电路如题2图所示，则（　　　）

    A.V截止U0＝－10V

    B.V截止U0＝－3V

    C.V导通U0＝－10V

    D.V导通U0＝－6V

    3.某电路中晶体三极管的符号如题3图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（　　　）

    A.放大状态

    B.饱和状态

    C.截止状态

    D.状态不能确定

    4.FET的转移特性如题4图所示，则该管为（　　　）

    A.N沟道耗尽型

    B.N沟道增强型

    C.P沟道耗尽型

    D.P沟道增强型

    5.下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（　　　）

    A.共射组态 B.共基组态

    C.共集组态 D.共漏组态

    6.某单级放大电路的通频带为 ，由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路，其总的通频带 应是（　　　）

    A. ＝2 B. >

    C. >2 D. <

    7.若要求放大电路取用信号源的电流小，而且带负载能力强，在放大电路中应引入的负反馈类型为（　　　）

    A.电流串联 B.电压串联

    C.电流并联 D.电压并联

    8.要想使振荡电路获得单一频率的正弦波，主要是依靠振荡器中的（　　　）

    A.正反馈环节 B.稳幅环节

    C.基本放大电路环节 D.选频网络环节

    9.在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（　　　）

    A.10V B. V

    C. V D.20V

    10.下列数中，最大的数是（　　　）

    A.（3D）16 B.（57）10

    C.（65）8 D.（111010）2

    11.逻辑函数F＝ 的反函数为（　　　）

    A. B.

    C. D.

    12.逻辑函数F（A、B、C）＝m1+m3+m6+m7，其最简与或表达式为（　　　）

    A.F＝AB＋ B.F＝A ＋ C

    C.F＝ B＋ C D.F＝AB＋BC

    13.逻辑函数F＝A ＋AB＋ C＋ACDEF的最简与或式为（　　　）

    A.F＝A＋ C B.F＝A＋C

    C.F＝A D.F＝AB

    14.TTL集电极开路门构成的电路如题14图所示，其输出函数F为（　　　）

    A.F＝ABC＋

    B.F＝ ＋DE

    C.F＝ ？

    D.F＝

    15.要使T触发器Qn+1= 则T＝（　　　）

    A.Qn B.0

    C.1 D.

    二、填空题（本大题共10小题，每空1分，共10分）

    请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。

    16.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位________________.

    17.PN结加正偏导通，加反偏截止，称为PN结的________________性能。

    18.某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其IE＝2.04mA，忽略穿透电流，则其IB为________________mA.

    19.在放大电路中，若负载电阻RL越大，则其电压放大倍数________

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